반도체 초강대국 달성전략 비전, 목표, 과제. 자료=산자부
이미지 확대보기이창양닫기이창양기사 모아보기 산업통상자원부 장관은 21일 동진쎄미켐 발안공장에서 이 같은 내용의 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 발표했다. 이번 전략은 ▲투자지원 ▲인력양성 ▲시스템 반도체 선도 기술 확보 ▲견고한 소부장 생태계 구축 등이 포함됐다.
우선 정부는 기업들이 향후 5년간 반도체 분야에 340조원 이상을 투자토록 할 계획이다. 이를 위해 대규모 신‧증설이 진행 중인 평택‧용인 반도체단지의 전력‧용수 등 필수 인프라 구축 비용을 국비로 지원한다.
반도체단지 용적률은 기존 350%에서 490%로 최대 1.4배 상향한다. 클린룸(먼지·세균이 없는 생산시설) 개수도 평택캠퍼스는 12개에서 18개로, 용인클러스터는 9개에서 12개로 늘어날 것으로 예상된다.
또 반도체 산업단지 조성 시, 중대·명백한 사유가 없으면 인허가의 신속 처리를 의무화하도록 국가첨단전략산업특별법을 개정한다.
특히 반도체 설비와 R&D(연구개발) 투자에 대한 세제 지원 확대도 검토한다. 대기업의 설비투자에 대해서는 중견기업과 같이 기존 대비 2%포인트(p)를 상향한 8~12%를 적용한다.
테스트 장비, 지식재산(IP) 설계·검증 기술 등도 국가전략기술에 새롭게 포함되는 등 세제 지원 대상 확대도 검토한다. 현재 일본 수출규제 품목 R&D에 허용되던 특별연장근로제(주 52시간→최대 64시간)도 오는 9월부터 전체 반도체 R&D로 확대한다.
화학물질관리법상 유해화학물질 취급시설 설치·관리 기준에 대한 규제도 연말까지 반도체 특성에 맞도록 대폭 개선한다. 국제기관 인증을 받은 장비는 기준 적용을 면제해준다.
산학협력 인력양성 4대 인프라. 사진=산자부
이미지 확대보기산업계도 연내 반도체 아카데미를 설립하고, 내년부터 대상별 맞춤형 교육을 실시해 향후 5년간 3600명 이상의 현장 인력을 양성할 계획이다.
민관 공동으로 10년간 3500억원 R&D 자금을 마련하여 반도체 특성화 대학원과 연계한 R&D를 지원해 우수 석박사 인재를 육성한다. 해외 반도체 우수인력 유치 시 소득세 50% 감면 혜택 기간도 현행 5년에서 10년으로 연장한다.
사진=산자부
이미지 확대보기또 국내 팹리스(반도체 설계 전문기업)가 글로벌 기업으로 성장할 수 있도록 ’스타 팹리스‘ 30개 사를 선정하고, 기술개발·시제품 제작·해외 판로 등에 약 1조5000억 원의 예산을 투입한다.
파운드리(반도체 위탁생산) 생태계를 위해 IP 설계, 디자인하우스, 후공정 등에 대한 지원을 확대한다. 첨단 패키징 분야에선 칩셋 등 핵심 기술 개발, 인프라 구축, 인력양성 등 대규모 예타사업도 추진할 예정이다.
견고한 소재·부품·장비(이하 소부장) 자립화율을 현재 30% 수준에서 오는 2030년까지 50%로 높일 계획이다. 이를 위해 R&D를 ‘추격형 국산화'에서 ‘시장 선도형'으로 전환한다. 시장 선도형 기술개발 비중도 내년부터는 20%로 대폭 확대한다. 미래 공급망 변화의 선제 대응에 중요한 분야 중심으로 ‘소부장 핵심 전략기술'도 늘린다.
제2판교, 제3판교 테크노밸리, 용인 플랫폼시티에 반도체 소부장 클러스터 구축도 추진한다. 민관 합동으로 3000억원 규모 반도체 생태계 펀드를 조성하고, 내년부터 소부장 기업 혁신, 팹리스 M&A(인수합병)에 집중 투자한다.
정은경 기자 ek7869@fntimes.com